PDTB114EUF参数规格_中文资料_数据手册PDF

PDTB114EUF概述

SC-70 PNP 50V 500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 500mA 140MHz 300mW Surface Mount SOT-323

得捷:
NOW NEXPERIA PDTB114EUF - SMALL

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 500mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R

PDTB114EUF中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 425 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 500mA

最小电流放大倍数hFE 70 @50mA, 5V

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 140 MHz

耗散功率Max 425 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-323-3

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-323-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PDTB114EUF

型号： PDTB114EUF

制造商： NXP 恩智浦

描述：SC-70 PNP 50V 500mA