PZT2907AT3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

PZT2907AT3G概述

ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE

通用 NPN ，最大 1A，

### 标准

带 S 或 NSV 前缀的制造商部件号具有汽车资格，符合 AEC-Q101 标准。

### ，On Semiconductor

ON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：

小信号晶体管

功率晶体管

双晶体管

复合晶体管对

高电压晶体管

射频晶体管

双极/FET 晶体管

PZT2907AT3G中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 mA

针脚数 4

极性 PNP

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.65 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

PZT2907AT3G引脚图与封装图

在线购买PZT2907AT3G

型号： PZT2907AT3G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：ON SEMICONDUCTOR PZT2907AT3G 单晶体管双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFE

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