ON SEMICONDUCTOR P2N2222AG. 放大器晶体管
The is a NPN Silicon Bipolar Transistor, designed for use in linear and switching applications.
- .
- Small Compact Surface Mountable Package with J-Bend Leads
- .
- Rectangular Package for Automated Handling
- .
- Highly Stable Oxide Passivated Junction
- .
- Epoxy, Molded Case
- .
- Lead and Mounting Surface Temperature for Soldering Purposes of 260 C Max. for 10 Seconds
- .
- Notch in Plastic Body Indicates Cathode Lead Polarity
频率 300 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 600 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 0.6A
最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Unknown
包装方式 Box
制造应用 工业, Signal Processing, 信号处理, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
P2N2222AG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
P2N2222ARL1G 安森美 | 完全替代 | P2N2222AG和P2N2222ARL1G的区别 |
P2N2222AZL1G 安森美 | 完全替代 | P2N2222AG和P2N2222AZL1G的区别 |
MMBT2222AWT1 安森美 | 类似代替 | P2N2222AG和MMBT2222AWT1的区别 |