PHE13003A,412参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHE13003A,412概述

Trans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin TO-92 Bulk

Bipolar BJT Transistor NPN 400V 1A 2.1W Through Hole TO-92-3

得捷:
NOW WEEN - PHE13003A - POWER BIP

艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 1A 3-Pin TO-92 Bulk

PHE13003A,412中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 10 @400mA, 5V

额定功率Max 2.1 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-226-3

外形尺寸

封装 TO-226-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHE13003A,412

型号： PHE13003A,412

制造商： NXP 恩智浦

描述：Trans GP BJT NPN 400V 1A 3Pin TO-92 Bulk