PBSS5160V,115

PBSS5160V,115图片1
PBSS5160V,115图片2
PBSS5160V,115图片3
PBSS5160V,115图片4
PBSS5160V,115图片5
PBSS5160V,115图片6
PBSS5160V,115中文资料参数规格
技术参数

频率 220 MHz

极性 PNP

耗散功率 0.5 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 200 @1mA, 5V

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5160V,115
型号: PBSS5160V,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 PNP 60V 1A
替代型号PBSS5160V,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS5160V,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

PBSS5160V

恩智浦

功能相似

PBSS5160V,115和PBSS5160V的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台