PBSS5320T,215

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PBSS5320T,215中文资料参数规格
技术参数

频率 100 MHz

极性 PNP

耗散功率 1.2 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

额定功率Max 540 mW

直流电流增益hFE 220

工作温度Max 150 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PBSS5320T,215
型号: PBSS5320T,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS5320T 系列 20 V 3 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT-23-3
替代型号PBSS5320T,215
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