PZT2222AT3G

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PZT2222AT3G概述

ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT3G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE

- 双极 BJT - 单 NPN 40 V 600 mA 300MHz 1.5 W 表面贴装型 SOT-223(TO-261)


得捷:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT223


立创商城:
PZT2222AT3G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 600mA 75V NPN


e络盟:
Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A Automotive 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT3G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE


Win Source:
TRANS NPN 40V 0.6A SOT223


DeviceMart:
TRANS SS NPN 600MA 40V SOT223


PZT2222AT3G中文资料参数规格
技术参数

频率 300 MHz

额定电压DC 40.0 V

额定电流 600 mA

针脚数 4

极性 NPN

耗散功率 1.5 W

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.6A

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

直流电流增益hFE 35

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: PZT2222AT3G
描述:ON SEMICONDUCTOR  PZT2222AT3G  单晶体管 双极, NPN, 40 V, 300 MHz, 1.5 W, 600 mA, 35 hFE
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