频率 300 MHz
极性 NPN
耗散功率 0.2 W
击穿电压集电极-发射极 160 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V
最大电流放大倍数hFE 80 @1mA, 5V
额定功率Max 200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-323-3
宽度 1.35 mm
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册
PMST5551,115
NXP 恩智浦
当前型号
PMST5550,115
恩智浦
类似代替
PMST5550,135