PDTC115TMB,315中文资料参数规格 技术参数
极性 NPN
耗散功率 250 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 100 @1mA, 5V
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
增益带宽 230 MHz
耗散功率Max 250 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 XFDFN-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买PDTC115TMB,315 型号： PDTC115TMB,315
制造商：
NXP
恩智浦
描述：DFN NPN 50V 100mA
