PZT2907AT1参数规格_中文资料_数据手册PDF

PZT2907AT1概述

PNP硅晶体管表面贴装 PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

Bipolar BJT Transistor PNP 60V 600mA 200MHz 1.5W Surface Mount SOT-223 TO-261

得捷:
TRANS SS SW PNP 600MA 60V SOT223

贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

Verical:
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 1500mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R

PZT2907AT1中文资料参数规格

技术参数

频率 200 MHz

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -600 A

耗散功率 1.5 W

增益频宽积 200 MHz

击穿电压集电极-发射极 60 V

最小电流放大倍数hFE 100 @150mA, 10V

额定功率Max 1.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

耗散功率Max 1500 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.5 mm

高度 1.57 mm

封装 TO-261-4

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买PZT2907AT1

型号： PZT2907AT1

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：PNP硅晶体管表面贴装 PNP SILICON TRANSISTOR SURFACE MOUNT

替代型号PZT2907AT1