PBLS4002Y,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBLS4002Y,115概述

TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
NEXPERIA PBLS4002Y - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R

安富利:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA 6-Pin TSSOP T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/500mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R

Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP

PBLS4002Y,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 300 mW

击穿电压集电极-发射极 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA/500mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBLS4002Y,115

型号： PBLS4002Y,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/500mA

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替代型号PBLS4002Y,115

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