NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20000 @ 5V,0.1A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 描述与应用| •为需要集电流增益可达到1A而设计
欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
PZTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-223
Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 500mA; 1W; SOT223
Verical:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT223
DeviceMart:
TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT223
额定电压DC 30.0 V
额定电流 1.20 A
额定功率 1 W
耗散功率 1000 mW
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
增益带宽 125MHz Min
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 4
封装 TO-261-4
长度 6.5 mm
宽度 3.56 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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PZTA14 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
PZTA14,115 安世 | 功能相似 | PZTA14和PZTA14,115的区别 |
PZTA14,135 恩智浦 | 功能相似 | PZTA14和PZTA14,135的区别 |