PZTA14

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PZTA14概述

NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-EmitterVoltageVCEO| 30V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 1.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 125MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 20000 @ 5V,0.1A 管压降VCE(sat)Collector-Emitter SaturationVoltage| 1.5V 耗散功率PcPower Dissipation| 1W Description & Applications| • This device is designed for applications requiring extremely high current gain at collector currents to 1.0 A. 描述与应用| •为需要集电流增益可达到1A而设计


欧时:
### 复合 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。


艾睿:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


安富利:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


富昌:
PZTA14 Series 30 V CE Breakdown 1.2 A NPN Darlington Transistor - SOT-223


Chip1Stop:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


TME:
Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 500mA; 1W; SOT223


Verical:
Trans Darlington NPN 30V 1.2A 1000mW 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Win Source:
TRANS NPN DARL 30V 1.2A SOT223


DeviceMart:
TRANS DARL NPN 30V 1.2A SOT223


PZTA14中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 1.20 A

额定功率 1 W

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

最小电流放大倍数hFE 20000 @100mA, 5V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

增益带宽 125MHz Min

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 3.56 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: PZTA14
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor ### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor 双极性结点晶体管 BJT 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。
替代型号PZTA14
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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