PUMF12,115

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PUMF12,115概述

TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP 50V, 40V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP


得捷:
NEXPERIA PUMF12 - SMALL SIGNAL B


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R


富昌:
PUMF12 系列 50 V 100 mA 表面贴装 NPN/PNP 配备电阻 晶体管 - SOT-363


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA Automotive 6-Pin TSSOP T/R


Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 6TSSOP


PUMF12,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.3 W

击穿电压集电极-发射极 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA

额定功率Max 300 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SOT-363-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PUMF12,115
型号: PUMF12,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:TSSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA
替代型号PUMF12,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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