PBSS5160QAZ

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PBSS5160QAZ概述

DFN-D PNP 60V 1A

Bipolar BJT Transistor PNP 60 V 1 A 150MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3


得捷:
PBSS5160QA - 60 V, 1 A PNP LOW V


艾睿:
Trans GP BJT PNP 60V 1A Automotive 3-Pin DFN-D EP


安富利:
Trans GP BJT PNP 60V 1A 3-Pin DFN


PBSS5160QAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 85 @1A, 2V

额定功率Max 325 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS5160QAZ
型号: PBSS5160QAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 60V 1A
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PBSS5160QAZ和PBSS5160QA的区别

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