PBSS5130QAZ

PBSS5130QAZ图片1
PBSS5130QAZ概述

DFN-D PNP 30V 1A

Bipolar BJT Transistor


得捷:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 1A Automotive 3-Pin DFN-D EP


安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 1A 3-Pin DFN


PBSS5130QAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 130 @1A, 2V

额定功率Max 325 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5130QAZ
型号: PBSS5130QAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 30V 1A
替代型号PBSS5130QAZ
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NXP 恩智浦

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PBSS5130QAZ和PBSS5130QA的区别

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