PBSS4140V,115

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PBSS4140V,115概述

SOT-666 NPN 40V 1A

Bipolar BJT Transistor NPN 40V 1A 150MHz 500mW Surface Mount SOT-666


得捷:
TRANS NPN 40V 1A SOT666


艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1A Automotive 6-Pin SOT-666 T/R


Win Source:
TRANS NPN 40V 1A SOT666


DeviceMart:
TRANS NPN 40V 1000MA SOT666


PBSS4140V,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1200 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 300 @1mA, 5V

额定功率Max 500 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 1200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563

外形尺寸

封装 SOT-563

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS4140V,115
型号: PBSS4140V,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SOT-666 NPN 40V 1A
替代型号PBSS4140V,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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