PQMD12Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

PQMD12Z概述

DFN-B NPN+PNP 50V 100mA

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 230MHz, 180MHz 350mW Surface Mount DFN1010B-6

得捷:
NOW NEXPERIA PQMD - SMALL SIGNAL

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin DFN-B EP

PQMD12Z中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 350 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 5V

额定功率Max 350 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 XFDFN-6

外形尺寸

高度 0.36 mm

封装 XFDFN-6

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PQMD12Z

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN-B NPN+PNP 50V 100mA