PBSS9110D,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS9110D,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 700 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 1A

最小电流放大倍数hFE 150 @500mA, 5V

最大电流放大倍数hFE 150 @1mA, 5V

额定功率Max 700 mW

耗散功率Max 700 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS9110D,115

型号： PBSS9110D,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：PBSS9110D 系列 100 V 1 A 表面贴装 PNP 低 VCEsat 晶体管 - TSOP-6

替代型号PBSS9110D,115

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
PBSS9110D,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PBSS9110D 安世	功能相似	PBSS9110D,115和PBSS9110D的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PBSS9110D,115

NXP 恩智浦

当前型号

PBSS9110D

安世

功能相似