PBSS5230QAZ

PBSS5230QAZ图片1
PBSS5230QAZ概述

DFN-D PNP 30V 2A

Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 2 A 170MHz 325 mW Surface Mount DFN1010D-3


得捷:
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 V, 2 A


艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2A Automotive 3-Pin DFN-D EP


PBSS5230QAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 60 @2A, 2V

额定功率Max 325 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买PBSS5230QAZ
型号: PBSS5230QAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 30V 2A
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PBSS5230QAZ和PBSS5230QA的区别

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