PBSS5350D,135参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS5350D,135概述

PBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat BISS晶体管

Bipolar BJT Transistor PNP 50 V 3 A 100MHz 750 mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
NOW NEXPERIA PBSS5350D - SMALL S

艾睿:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 50V 3A 6-Pin TSOP T/R

Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 6-Pin TSOP T/R

Win Source:
TRANS PNP 50V 3A 6TSOP

PBSS5350D,135中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 750 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 100 @2A, 2V

额定功率Max 750 mW

耗散功率Max 750 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5350D,135

型号： PBSS5350D,135

制造商： NXP 恩智浦

描述：PBSS5350D - 50 V，3 A PNP低VCEsat BISS晶体管

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替代型号PBSS5350D,135

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PBSS5350D,135 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
DSS5240T-7 美台	功能相似	PBSS5350D,135和DSS5240T-7的区别
PBSS5350D,115 恩智浦	功能相似	PBSS5350D,135和PBSS5350D,115的区别

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PBSS5350D,115

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