PBSS5260QAZ

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PBSS5260QAZ中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 1.7A

最小电流放大倍数hFE 30 @1.7A, 2V

额定功率Max 325 mW

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 XDFN-3

外形尺寸

封装 XDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5260QAZ
型号: PBSS5260QAZ
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-D PNP 60V 1.7A
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