PBSS305PD,115

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PBSS305PD,115中文资料参数规格
技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 145 @1A, 2V

额定功率Max 1.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-457

外形尺寸

长度 3.1 mm

宽度 1.7 mm

高度 1 mm

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS305PD,115
型号: PBSS305PD,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS305PD,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PBSS305PD,115

NXP 恩智浦

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PBSS305PD

恩智浦

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