PBLS4003D,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBLS4003D,115概述

TSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/1A

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT

得捷:
NEXPERIA PBLS4003D - SMALL SIGNA

艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/1A Automotive 6-Pin TSOP T/R

Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V/40V 100mA/1A 6-Pin TSOP T/R

Win Source:
TRANS NPN PREBIAS/PNP 0.6W 6TSOP

DeviceMart:
LOADSWITCH PNP 40V 1A 6TSOP

PBLS4003D,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 600 mW

击穿电压集电极-发射极 50V, 40V

集电极最大允许电流 100mA/1A

额定功率Max 600 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

增益带宽 150MHz Min

耗散功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBLS4003D,115

型号： PBLS4003D,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSOP NPN+PNP 50V/40V 100mA/1A

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替代型号PBLS4003D,115

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PBLS4003D,115 NXP 恩智浦	当前型号	当前型号
PBLS4003D 恩智浦	类似代替	PBLS4003D,115和PBLS4003D的区别
XN0431500L 松下	功能相似	PBLS4003D,115和XN0431500L的区别

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