PBLS2002D,115参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

PBLS2002D,115图片1

PBLS2002D,115图片2

PBLS2002D,115图片3

PBLS2002D,115图片4

PBLS2002D,115图片5

PBLS2002D,115中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.6 W

击穿电压集电极-发射极 50V, 20V

集电极最大允许电流 100mA/1A

额定功率Max 600 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-457

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TSOP-457

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBLS2002D,115

型号： PBLS2002D,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSOP NPN+PNP 50V/20V 100mA/1A

替代型号PBLS2002D,115

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

PBLS2002D,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

XN0431600L

松下

功能相似

PBLS2002D,115和XN0431600L的区别

XN0438100L

松下

功能相似

PBLS2002D,115和XN0438100L的区别