PMV90EN,215

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PMV90EN,215概述

TO-236AB N-CH 30V 1.9A

表面贴装型 N 通道 1.9A(Ta) 310mW(Ta),2.09W(Tc) TO-236AB(SOT23)


得捷:
MOSFET N-CH 30V 1.9A TO236AB


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 1.9A 3-Pin TO-236AB T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SOT-23


PMV90EN,215中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 310mW Ta, 2.09W Tc

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 1.9A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 132pF @15VVds

额定功率Max 310 mW

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 310mW Ta, 2.09W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMV90EN,215
型号: PMV90EN,215
制造商: NXP 恩智浦
描述:TO-236AB N-CH 30V 1.9A

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