PMN35EN,125

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PMN35EN,125中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 334pF @15VVds

下降时间 24 ns

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOP-6

外形尺寸

封装 TSOP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMN35EN,125
型号: PMN35EN,125
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6Pin TSOP T/R

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