PMN35EN,115

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PMN35EN,115概述

Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6Pin TSOP T/R

表面贴装型 N 通道 5.1A(Ta) 500mW(Ta) 6-TSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6-Pin TSOP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP


PMN35EN,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 500mW Ta

漏源极电压Vds 30 V

输入电容Ciss 334pF @15VVds

额定功率Max 500 mW

耗散功率Max 500mW Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-457

外形尺寸

封装 SOT-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买PMN35EN,115
型号: PMN35EN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.1A 6Pin TSOP T/R

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