PBSS4032PD,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PBSS4032PD,115概述

TSOP PNP 30V 2.7A

Bipolar BJT Transistor PNP 30 V 2.7 A 104MHz 1 W Surface Mount 6-TSOP

得捷:
NEXPERIA PBSS4032PD - SMALL SIGN

艾睿:
Trans GP BJT PNP 30V 2.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R

安富利:
Trans GP BJT PNP 30V 2.7A 6-Pin TSOP T/R

PBSS4032PD,115中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 1000 mW

击穿电压集电极-发射极 30 V

集电极最大允许电流 2.7A

最小电流放大倍数hFE 200 @1A, 2V

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-74-6

外形尺寸

高度 1 mm

封装 SC-74-6

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS4032PD,115

型号： PBSS4032PD,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：TSOP PNP 30V 2.7A