PMPB20UN,115

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PMPB20UN,115概述

Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 6Pin DFN-MD EP T/R

表面贴装型 N 通道 6.6A(Ta) 1.7W(Ta),12.5W(Tc) 6-DFN2020MD(2x2)


得捷:
MOSFET N-CH 20V 6.6A 6DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 6-Pin DFN-MD EP T/R


PMPB20UN,115中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 460pF @10VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN2020-6

外形尺寸

封装 DFN2020-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMPB20UN,115
型号: PMPB20UN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 6.6A 6Pin DFN-MD EP T/R

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