PBSS5560PA,115

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PBSS5560PA,115中文资料参数规格
技术参数

频率 90 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 60 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 150 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 265

额定功率Max 2.1 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

封装 SOT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5560PA,115
型号: PBSS5560PA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:HUSON3 PNP 60V 5A

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