PBSS5620PA,115

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PBSS5620PA,115概述

PBSS5620PA 系列 20 V 6 A PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT1061

Bipolar BJT Transistor PNP 20V 6A 80MHz 2.1W Surface Mount 3-HUSON 2x2


得捷:
TRANSISTOR PNP 20V 6A SOT1061


艾睿:
Trans GP BJT PNP 20V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


富昌:
PBSS5620PA 系列 20 V 6 A PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT1061


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 20V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 20V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Win Source:
TRANS PNP 20V 6A SOT1061


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 20V 6A SOT1061


PBSS5620PA,115中文资料参数规格
技术参数

频率 80 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 20 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 190 @2A, 2V

最大电流放大倍数hFE 345

额定功率Max 2.1 W

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-3

外形尺寸

封装 SOT-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5620PA,115
型号: PBSS5620PA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS5620PA 系列 20 V 6 A PNP 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOT1061

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