PBSS5612PA,115

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PBSS5612PA,115概述

HUSON3 PNP 12V 6A

Bipolar BJT Transistor PNP 12 V 6 A 60MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON 2x2


得捷:
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN


艾睿:
Trans GP BJT PNP 12V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 12V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 12V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


Verical:
Trans GP BJT PNP 12V 6A 3-Pin HUSON3 T/R


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 12V 6A SOT1061


PBSS5612PA,115中文资料参数规格
技术参数

频率 60 MHz

极性 PNP

耗散功率 2.1 W

击穿电压集电极-发射极 12 V

集电极最大允许电流 6A

最小电流放大倍数hFE 190 @2A, 2V

额定功率Max 2.1 W

耗散功率Max 2100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 UDFN-3

外形尺寸

封装 UDFN-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5612PA,115
型号: PBSS5612PA,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:HUSON3 PNP 12V 6A

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