PMT200EN,115

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PMT200EN,115概述

SC-73 N-CH 100V 1.8A

表面贴装型 N 通道 1.8A(Ta) 800mW(Ta),8.3W(Tc) SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 1.8A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 3.3A 4-Pin SC-73 T/R


PMT200EN,115中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 800mW Ta, 8.3W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 1.8A

上升时间 5 ns

输入电容Ciss 475pF @80VVds

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800mW Ta, 8.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMT200EN,115
型号: PMT200EN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:SC-73 N-CH 100V 1.8A
替代型号PMT200EN,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PMT200EN,115

NXP 恩智浦

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