PMN45EN,165

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PMN45EN,165概述

PMN45EN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET

表面贴装型 N 通道 30 V 5.2A(Tc) 1.75W(Tc) 6-TSOP


得捷:
MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-Pin TSOP


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-Pin TSOP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 5.2A 6-Pin TSOP


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP


PMN45EN,165中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 1.75 W

漏源极电压Vds 30 V

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 495pF @25VVds

额定功率Max 1.75 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.75W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 TSOP-457

外形尺寸

封装 TSOP-457

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMN45EN,165
型号: PMN45EN,165
制造商: NXP 恩智浦
描述:PMN45EN - N沟道TrenchMOS逻辑电平FET
替代型号PMN45EN,165
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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NXP 恩智浦

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当前型号

PMN45EN,135

恩智浦

完全替代

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