PBSS4350SSJ

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PBSS4350SSJ中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 2000 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2.7A

最小电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 2000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.45 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS4350SSJ
型号: PBSS4350SSJ
制造商: NXP 恩智浦
描述:PBSS4350SS 系列 50 V 2.7 A NPN/NPN 低 VCEsat BISS 晶体管 - SOIC-8

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