PBSS5350SS,115

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PBSS5350SS,115概述

PNP 晶体管,NXP一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极性晶体管,NXP Semiconductors

低饱和电压 PNP ,Nexperia

一系列 BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。

### 双极晶体管,Nexperia


得捷:
TRANS 2PNP 50V 2.7A 8SO


欧时:
NXP PBSS5350SS,115 , PNP 晶体管, 3 A, Vce=50 V, HFE:100, 100 MHz, 3引脚 8-SO封装


艾睿:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A Automotive 8-Pin SO T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN/PNP 50V 2.7A 8-Pin SO T/R


Win Source:
TRANS 2PNP 50V 2.7A 8SO


DeviceMart:
TRANS ARR 2PNP 50V 2.7A 8SOIC


PBSS5350SS,115中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN+PNP

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 2.7A

最小电流放大倍数hFE 180 @1A, 2V

额定功率Max 750 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 830 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.8 mm

宽度 4.2 mm

高度 5.2 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PBSS5350SS,115
型号: PBSS5350SS,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:PNP 晶体管,NXP 一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。 ### 双极性晶体管,NXP Semiconductors
替代型号PBSS5350SS,115
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PBSS5350SS,115

NXP 恩智浦

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