PMDPB85UPE,115参数规格_中文资料_数据手册PDF

PMDPB85UPE,115概述

DFN P-CH 20V 3.7A

Mosfet Array 2 P-Channel Dual 20V 2.9A 515mW Surface Mount 6-HUSON-EP 2x2

得捷:
NOW NEXPERIA PMDPB85UPE - SMALL

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.7A 6-Pin DFN EP T/R

PMDPB85UPE,115中文资料参数规格

技术参数

极性 P-CH

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.7A

输入电容Ciss 514pF @10VVds

额定功率Max 515 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMDPB85UPE,115

型号： PMDPB85UPE,115

制造商： NXP 恩智浦

描述：DFN P-CH 20V 3.7A