PMDPB55XP,115

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PMDPB55XP,115中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

上升时间 14 ns

输入电容Ciss 785pF @10VVds

额定功率Max 490 mW

下降时间 68 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMDPB55XP,115
型号: PMDPB55XP,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:P-沟道 20 V 4.5 A 70 mΩ 16.5 nC 表面贴装 Trench Mosfet - DFN2020-6

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