PMDPB42UN,115

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PMDPB42UN,115概述

Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6Pin HUSON EP T/R

Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 3.9A 510mW Surface Mount DFN2020-6


得捷:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6-Pin HUSON EP T/R


Win Source:
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A HUSON6


PMDPB42UN,115中文资料参数规格
技术参数

漏源极电压Vds 20 V

输入电容Ciss 185pF @10VVds

额定功率Max 510 mW

耗散功率Max 510 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 uDFN-6

外形尺寸

封装 uDFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMDPB42UN,115
型号: PMDPB42UN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6Pin HUSON EP T/R

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