DFN N-CH 20V 4A
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 20V 4A 510mW Surface Mount DFN2020-6
得捷: MOSFET 2N-CH 20V 4A HUSON6
艾睿: Trans MOSFET N-CH 20V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
极性 N-CH
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 268pF @10VVds
额定功率Max 510 mW
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1200 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 uDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册