Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6Pin HUSON EP T/R
MOSFET - 阵列 2 N-通道(双) 30V 3.1A 510mW 表面贴装型 DFN2020-6
得捷: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
艾睿: Trans MOSFET N-CH 30V 4A 6-Pin HUSON EP T/R
Win Source: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A HUSON6
漏源极电压Vds 30 V
输入电容Ciss 170pF @15VVds
额定功率Max 510 mW
耗散功率Max 510 mW
安装方式 Surface Mount
封装 uDFN-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册