PMPB12UN,115

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PMPB12UN,115概述

DFN-MD N-CH 20V 7.9A

N-Channel 20V 7.9A Ta 1.7W Ta, 12.5W Tc Surface Mount 6-DFN2020MD 2x2


得捷:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-Pin DFN-MD EP T/R


PMPB12UN,115中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 1.7W Ta, 12.5W Tc

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 7.9A

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 886pF @10VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.7W Ta, 12.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 DFN-6

外形尺寸

封装 DFN-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PMPB12UN,115
型号: PMPB12UN,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:DFN-MD N-CH 20V 7.9A

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