PHD3055E,118参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHD3055E,118概述

Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

N-Channel 60V 10.3A Tc 33W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 10.3A DPAK

PHD3055E,118中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 33 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 10.3 A

上升时间 26 ns

输入电容Ciss 250pF @25VVds

下降时间 10 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 33W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHD3055E,118

型号： PHD3055E,118

描述：Trans MOSFET N-CH 60V 10.3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号PHD3055E,118