PHE13009/DG,127

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PHE13009/DG,127概述

Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 12 A - 80 W Through Hole TO-220AB


得捷:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO


艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 12A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO / Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB


PHE13009/DG,127中文资料参数规格
技术参数

击穿电压集电极-发射极 400 V

最小电流放大倍数hFE 8 @5A, 5V

额定功率Max 80 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHE13009/DG,127
型号: PHE13009/DG,127
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans GP BJT NPN 400V 12A 3Pin3+Tab TO-220AB Tube

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