PSMN9R0-30LL,115

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PSMN9R0-30LL,115概述

QFN N-CH 30V 21A

N-Channel 30V 21A Tc 50W Tc Surface Mount 8-DFN3333 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 30V 21A 8DFN


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R


富昌:
N-Channel 30 V 9 mΩ 20.6 nC SMT Logic Level Mosfet - DFN3333-8


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP T/R


PSMN9R0-30LL,115中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 21A

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1193pF @15VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN3333-8

外形尺寸

封装 DFN3333-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PSMN9R0-30LL,115
型号: PSMN9R0-30LL,115
制造商: NXP 恩智浦
描述:QFN N-CH 30V 21A
替代型号PSMN9R0-30LL,115
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

PSMN9R0-30LL,115

NXP 恩智浦

当前型号

当前型号

BSZ035N03LS G

英飞凌

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