PHT8N06LT,135

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PHT8N06LT,135概述

Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4Pin3+Tab SC-73 T/R

N-Channel 55V 3.5A Ta 1.8W Ta, 8.3W Tc Surface Mount SOT-223


得捷:
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4-Pin3+Tab SC-73 T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 3.5A SOT223


PHT8N06LT,135中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.8 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 7.50 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 1.8 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.8W Ta, 8.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 TO-261-4

外形尺寸

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买PHT8N06LT,135
型号: PHT8N06LT,135
制造商: NXP 恩智浦
描述:Trans MOSFET N-CH 55V 3.5A 4Pin3+Tab SC-73 T/R
替代型号PHT8N06LT,135
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