PHPT610035NKX参数规格_中文资料_数据手册PDF

PHPT610035NKX概述

LFPAK-D NPN 100V 3A

Bipolar BJT Transistor Array

得捷:
NEXPERIA PHPT610035NK - NPN/NPN

艾睿:
NPN/NPN high Power Double bipolar transistor

Verical:
NPN/NPN high Power Double bipolar transistor

PHPT610035NKX中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 25000 mW

击穿电压集电极-发射极 100 V

集电极最大允许电流 3A

最小电流放大倍数hFE 80 @1A, 10V

额定功率Max 1.25 W

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-1205

外形尺寸

封装 SOT-1205

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号： PHPT610035NKX

制造商： NXP 恩智浦

描述：LFPAK-D NPN 100V 3A