ON SEMICONDUCTOR P6SMB33AT3G TVS二极管, TVS, P6SMB系列, 单向, 28.2 V, 45.7 V, DO-214AA, 2 引脚
极性Polarization| 单向 Unidirectional \---|--- 反向关断电压/工作电压VRWMReverse Standoff Voltage| 28.2V 反向击穿电压VBRBreakdown Voltage| 33V 峰值脉冲耗散功率PPPMPeak Pulse Power Dissipation| 600W 峰值脉冲电流IPPmPeak Forward Surge Current| 13.2A 额定耗散功率PdPower dissipation| 3W Description & Applications| Specification Features • 600 Watts Suface Mount Transient Voltage Suppressor • Working Peak Reverse Voltage Range − 5.8 to 171 V • Standard Zener Breakdown Voltage Range − 6.8 to 200 V • Peak Power − 600 W @ 1 ms • ESD Rating of Class 3 >16 KV per Human Body Model • Maximum Clamp Voltage @ Peak Pulse Current • Low Leakage < 5 uA Above 10 V • UL 497B for Isolated Loop Circuit Protection • Response Time is Typically < 1 ns • Pb−Free Packages are Available 描述与应用| 规格特性 •600瓦曲面的装载瞬态电压抑制器 •工作峰值反向电压范围 - 5.8到171 V •标准齐纳击穿电压范围 - 6.8到200 V •峰值功率 - 600瓦@ 1ms •3级(>16 KV)每人体模型ESD额定值 •最大钳位电压峰值脉冲电流 •低漏<5 UA大于10 V •UL497B用于隔离回路的电路保护 •响应时间通常小于1 ns •无铅包可用
额定电压DC 33.0 V
工作电压 28.2 V
额定功率 600 W
击穿电压 33.05 V
电路数 1
针脚数 2
耗散功率 600 W
钳位电压 45.7 V
最大反向电压(Vrrm) 28.2V
测试电流 1 mA
最大反向击穿电压 34.7 V
脉冲峰值功率 600 W
最小反向击穿电压 31.4 V
击穿电压 31.4 V
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温 -65℃ ~ 150℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 2
封装 DO-214AA
长度 4.6 mm
宽度 3.95 mm
高度 2.28 mm
封装 DO-214AA
工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automation & Process Control, Industrial, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 汽车级, Automotive, Consumer Electronics, Medical
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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P6SMB33AT3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
SZP6SMB33AT3G 安森美 | 完全替代 | P6SMB33AT3G和SZP6SMB33AT3G的区别 |
P6SMB33CAT3G 安森美 | 类似代替 | P6SMB33AT3G和P6SMB33CAT3G的区别 |
P6SMB30CAT3G 安森美 | 类似代替 | P6SMB33AT3G和P6SMB30CAT3G的区别 |