P6SMB7.5AT3G

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P6SMB7.5AT3G概述

P6SMB 系列 7.88 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制二极管

11.3V Clamp 53A Ipp Tvs Diode Surface Mount SMB


立创商城:
Vrwm:6.4V 600W


得捷:
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMB


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.4V 600W 2-Pin SMB T/R


安富利:
ESD Suppressor TVS 16KV 2-Pin SMB T/R


富昌:
P6SMB 系列 7.88 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制二极管


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.4V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 6.4V 600W 2-Pin SMB T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  P6SMB7.5AT3G  TVS Diode, P6SMB Series, Unidirectional, 6.4 V, 11.3 V, 403A, 2 Pins


Win Source:
TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMB


P6SMB7.5AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电流 5.80 A

电容 2180 pF

击穿电压 7.13 V

电路数 1

钳位电压 11.3 V

最大反向电压(Vrrm) 6.4V

测试电流 10 mA

最大反向击穿电压 7.88 V

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 7.13 V

击穿电压 7.13 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温 -65℃ ~ 150℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.32 mm

宽度 3.56 mm

高度 2.2 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

P6SMB7.5AT3G引脚图与封装图
P6SMB7.5AT3G引脚图
P6SMB7.5AT3G封装焊盘图
在线购买P6SMB7.5AT3G
型号: P6SMB7.5AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:P6SMB 系列 7.88 V 600 W 单向 齐纳 瞬态电压抑制二极管
替代型号P6SMB7.5AT3G
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