P6SMB82AT3G

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P6SMB82AT3G概述

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor

600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向)


得捷:
TVS ZENER UNIDIR 82V 600W SMB


欧时:
ON Semiconductor 安森美 TVS 二极管 单向, 600W, 113V, 2 引脚, SMB封装 P6SMB82AT3G


艾睿:
Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 600W 2-Pin SMB T/R


Allied Electronics:
P6SMB82AT3G, Uni-Directional TVS Diode, 600W, 2-Pin SMB


Chip1Stop:
Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 600W 2-Pin SMB T/R


Verical:
Diode TVS Single Uni-Dir 70.1V 600W 2-Pin SMB T/R


P6SMB82AT3G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 82.0 V

工作电压 70.1 V

额定功率 600 W

击穿电压 77.9 V

电路数 1

钳位电压 113 V

最大反向电压(Vrrm) 70.1V

测试电流 1 mA

脉冲峰值功率 600 W

最小反向击穿电压 77.9 V

击穿电压 77.9 V

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 2

封装 DO-214AA

外形尺寸

长度 4.32 mm

宽度 3.56 mm

高度 2.28 mm

封装 DO-214AA

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 汽车级

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买P6SMB82AT3G
型号: P6SMB82AT3G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:600W 齐纳表面安装瞬态电压抑制器,P6SMB 系列(双向) ### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
替代型号P6SMB82AT3G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

P6SMB82AT3G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

SZP6SMB82AT3G

安森美

完全替代

P6SMB82AT3G和SZP6SMB82AT3G的区别

1SMB70AT3G

安森美

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